科学家研发2D金属芯片:让储存速度提高100倍

栏目:
行业动态 · 发布日期:2020年7月7日 · 作者:中成泵业

科学家们正在努力工作,希望开发下一代数据存储材料以提高现有存储的速度。

根据英国《自然·物理学》杂志最近发表的一项研究,美国的一个联合研究小组使用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子,其可代替硅芯片存储数据,且比硅芯片更密集、更小、更快,也更节能,同时储存速度提高了100倍之多。转子泵

研究人员向二碲化钨的薄层结构施加了微小的电流,从而使其奇数层相对于偶数层稳定的偏移,并利用奇偶层的排列来存储二进制数据。数据写入后,他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性,在不干扰排列的情况下读取数据。卫生泵

与现有的基于硅的数据存储系统相比,新系统具有巨大的优势-可以将更多数据填充到很小的物理空间中,并且非常节能。此外,偏移发生得如此之快,以致于数据写入速度可以比现有技术快100倍。液下泵

对超薄层进行很小的调整将对其功能特性产生重大影响,人们可以利用这些知识来设计新的节能设备,以实现可持续发展和更智能的未来存储方法。油泵


上一资质:
下一资质: